SXP-B1型PT二次回路壓降/負(fù)荷測(cè)試儀
SXP-B1型PT二次回路壓降/負(fù)荷測(cè)試儀
主要技術(shù)指標(biāo):
測(cè)量PT二次回路壓降
有效測(cè)量范圍:
比差(f): (0.000~±10.00)%
角差(f): (0.00~±343.8)分
始端電壓范圍(UPT):(57.7±20%)V,(100.0V±20%)V
頻 率: (50.00±0.5) Hz
允許誤差:
比差:±(1%比差讀數(shù)+1%角差讀數(shù)+0.1%Fs①)%
角差:±(1%角差讀數(shù)+1%比差讀數(shù)+0.3分)分
數(shù)字電壓表:±(1%讀數(shù)+0.1%Fs①) V
頻率:±(1%讀數(shù)+0.1%Fs①) Hz
PT側(cè)輸入阻抗:≥50KΩ
Wh側(cè)輸入阻抗:≈21.4/Δu MΩ(Δu單位為%)
zui大沖擊電流:100mA
外接電纜zui大長(zhǎng)度:600M(90Ω/每個(gè)回路)
測(cè)量PT二次回路負(fù)荷
有效測(cè)量范圍:
電導(dǎo)(G):(0.000~±50.0)mS
電納(B):(0.000~±50.0)mS
②視在功率(S): (0.000~700.0)VA
②PT二次電流(I2):(0.0000~7.00)A
工作電壓范圍(UPT):(57.7±20%)V,(100.0V±20%)V
頻率:(50.00±0.5)Hz
允許誤差:
電導(dǎo):±(1%電導(dǎo)讀數(shù)+1%電納讀數(shù)+0.2%Fs①) mS
電納:±(1%電納讀數(shù)+1%電導(dǎo)讀數(shù)+0.2%Fs①) mS
數(shù)字電壓表:±(1%讀數(shù)+0.1%Fs①) V
頻率:±(1%讀數(shù)+0.1%Fs①)Hz
電壓取樣端輸入阻抗:≥50KΩ
電流取樣鉗型CT:(1~6A)/(1~6mA)(0.2級(jí))
測(cè)量CT二次回路負(fù)荷
有效測(cè)量范圍:
I2n=5A時(shí):
電阻(R): (0.000~±20.00)Ω
電抗(X): (0.000~±20.00)Ω
②合成阻抗(Z): (0.000~25.00)Ω
I2n=1A時(shí):
電阻(R): (0.000~±100.0)Ω
電抗(X): (0.000~±100.0)Ω
②合成阻抗(Z):(0.000~110.0)Ω
工作電流范圍(I):(5%~120%)I2n
頻率: (50.00±0.5) Hz
允許誤差:
電阻:±(1%電阻讀數(shù)+1%電抗讀數(shù)+0.2%Fs①)Ω
電抗:±(1%電抗讀數(shù)+1%電阻讀數(shù)+0.2%Fs①)Ω
數(shù)字電流表:±(1%讀數(shù)+0.1%Fs①) %
頻率:±(1%讀數(shù)+0.1%Fs ) z
電壓取樣端輸入阻抗:≥75 KΩ
電流取樣鉗型CT:1A/1mA(0.2級(jí))
①注:Fs為當(dāng)前量程下的滿(mǎn)度有效測(cè)量值。
②注:為間接測(cè)量數(shù)據(jù)。
備案號(hào):滬ICP備17006008號(hào)-22 技術(shù)支持:智慧城市網(wǎng)